型号:SI4485DY-T1-GE3 | 类别:FET - 单 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 6A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 42 毫欧 @ 5.9A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 21nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 590pF @ 15V |
功率_最大 | 5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
中科航芯(深圳)科技有限公司 | 李18927479189 |
深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
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